OTSUKA大塚電子廣州代理，OTSUKA廣州代理，.，OTSUKA大塚電子廣州代理 光譜干擾晶圓 厚度計(jì) SF-3日本OTSUKA大塚電子光譜干擾晶圓厚度計(jì)SF-3日本OTSUKA大塚電子光譜干擾晶圓厚度計(jì)SF-3日本OTSUKA大塚電子光譜干擾晶圓厚度計(jì)SF-3日本OTSUKA大塚電子光譜干擾晶圓厚度計(jì)SF-3日本OTSUKA大塚電子光譜干擾晶圓厚度計(jì)SF-3日本OTSUKA大塚電子 製品情報(bào) 特 長
光學(xué)式により非接觸?非破壊での厚み測定が可能 スペクトル解析後による條件出し 高速でリアルタイムに研磨モニタが可能 保護(hù)フィルム、窓材など中間層越しの計(jì)測が可能 多層厚み解析 獨(dú)自解析エンジンを搭載（特許出願(yuàn)中） 厚み測定に最適な獨(dú)自の解析アルゴリズムを採用（特許取得済み） 厚み分布を自動(dòng)でマッピング可能
測定項(xiàng)目
膜厚解析（5層）
用 途
Si部材の厚み評(píng)価 シリコン、化合物半導(dǎo)體の研削評(píng)価用 1.3mm 次世代450mmウェーハ 775µm 300mmウェハ TSVウェーハ（ビア上Si膜やSi層膜測定） シリコンウェーハ以外の素材にも幅広く対応（SiO2、樹脂膜） 仕 様
型式 SF-3 厚み測定範(fàn)囲 0.1µm～10µm、15µm～1000µm、10µm～775µm * 、50µm～1600µm* 繰り返し精度 0.01%以下 測定時(shí)間 最速200µs（5kHz） 測定用光源 半導(dǎo)體光源 測定徑 最小φ6µm WD 10mm以上の任意の距離による 寸法 123（W）×224（D)×128（H）mm（突起物を除く） * ただし表面狀態(tài)による
12インチウェーハ以下高速マッピング可能なコンパクトマッピング仕様
高速Rθステージ SF-3Rθ
特 長
Rθ可動(dòng)軸による高速マッピング仕様 コンパクト設(shè)計(jì)マッピングステージ 半導(dǎo)體プロセス裝置への組込み可能（組込みマッピング仕様） オリフラ、ノッチの畫像認(rèn)識(shí)機(jī)能 分光干渉法により非接觸?非破壊で高い再現(xiàn)性を?qū)g現(xiàn) 貼り合せウェハの薄膜ボンディング、Si厚み、サポート基板のトータル厚み測定 多層厚み測定が可能 オリフラ、ノッチの畫像認(rèn)識(shí)によるウェーハ面內(nèi)高精度位置決めを?qū)g現(xiàn)
仕 様
型式 SF-3Rθ 光學(xué)系 光學(xué)プローブ 厚み測定範(fàn)囲 0.5 ～ 1600µm * 可動(dòng)軸 Rθ 測定徑 φ6、φ9、φ500µm ステージ面サイズ φ300mm 可動(dòng)軸ストローク R軸：±150mm、θ軸：360° ウェーハサイズ 300ｍｍ以下 計(jì)測時(shí)間 61ポイント/60ｓ以下 最大駆動(dòng)速度 150ｍｍ/ｓ ステージ分解能 10µｍ以下 繰り返し位置決め精度 50µｍ以下 その他機(jī)能 畫像処理によるオリフラ及びノッチ合わせ機(jī)能 吸著 あり 特注 アライメント対応、ローダ対応
* 分光器のタイプに依存
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